研究表明，家济企只有少数原子周围的缺陷需要处理在全电子水平，以获得一个整体全电子精度的超精细和零场分裂张量。

入选非晶和晶态间巨大的电阻率差异保证了数据读取。PCRAM的工作原理是：省高数和数均首位对晶态相变材料施加强且短的电脉冲，相变材料快速熔化并淬火至非晶态，实现RESET操作。

该工作采用互补金属氧化物半导体技术（CMOS）集成了基于钇锑碲非晶相、端品立方相和六方相间多级可逆相变的多级相变存储器。除完全非晶和晶态外，牌培依靠迭代激励调控相变材料非晶和晶态占比，牌培可实现多个中间态，在开发高密度多级信息存储和神经形态计算中展现出巨大潜力。育企业总图4. Sb迁移与体系能量。

成果简介最近，新增北京航空航天大学刘宾博士（第一作者）、新增孙志梅教授（通讯作者）及合作者在国际学术期刊ScienceBulletin上发表题为Multi-levelphase-changememorywithultralowpowerconsumptionandresistancedrift的研究论文。全省（a）T型相变存储单元的结构示意图和（b）TEM形貌像。

家济企（a-d）钇锑碲六方相到立方相转变的微观结构表征。

（c、入选d）存储态1，（e、f）存储态-1和存储态0（g、h）时钇锑碲PCRAM的高分辨TEM和傅里叶变换SAED图。然而，省高数和数均首位对于具有部分无序的多主元金属间化合物，这种关联尚未得到很好的阐释。

端品大部分Co和Fe占据面心位。对于多主元合金，牌培之前的研究发现电子对缺陷的适应能力以及化学键的方向性可以较好的描述堆垛层错缺陷形成能力。

小结：育企业总综上所述，本文利用DFT方法研究了(Ni,Co,Fe)3(Al,Ti,Fe)及其子体系的元素占位和形变机理，得到以下结论：1、Ti倾向于占据Al位。Fe对层错能的影响与局域结构和局域浓度高度相关，新增且并未表现出明显的趋势，即Fe元素对面缺陷的形成能的影响较弱。